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半导体研究所 [30]
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2010 [2]
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2008 [1]
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学科主题
半导体材料 [30]
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学科主题:半导体材料
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540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier
期刊论文
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 759-761
Cui, Kai
;
Ma, Wenquan
;
Zhang, Yanhua
;
Huang, Jianliang
;
Wei, Yang
;
Cao, Yulian
;
Guo, Xiaolu
;
Li, Qiong
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/08/27
Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:
Wang C
收藏
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
Hydrogenated nanocrystalline silicon
Buffer layer
i/p interface
Solar cells
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
A-SI-H
P/I-INTERFACE
MICROCRYSTALLINE SILICON
VAPOR-DEPOSITION
FILMS
CAPACITANCE
EFFICIENCY
CRYSTALLINE
TEMPERATURE
The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102
Bi Y
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2012/01/06
ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
ALGAN/GAN
POLARIZATION
PASSIVATION
HFETS
GHZ
Aluminum induced crystallization of strongly (111) oriented polycrystalline silicon thin film and nucleation analysis
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 11, 页码: 3002-3005
Huang TM (Huang TianMao)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Bai YM (BaiYiMing)
;
Yin ZG (Yin ZhiGang)
;
Shi HW (Shi HuiWei)
;
Zhang H (Zhang Han)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Wang YS (Wang YanShuo)
;
Yang XL (Yang XiaoLi)
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/14
polycrystalline silicon thin film
aluminum induced crystallization
(111) preferred orientation
INDUCED LAYER-EXCHANGE
AMORPHOUS-SILICON
SOLAR-CELLS
GLASS
SI
ORIENTATION
MODEL
In-plane stray field induced spin-filtering in a two-dimensional electron gas under the modulation of surface ferromagnetic dual-gate
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073703
Wang Y (Wang Y.)
;
Jiang Y (Jiang Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/14
BARRIER STRUCTURE
MAGNETIC-FIELD
POLARIZATION
CONDUCTANCE
DEVICE
Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381
作者:
Liu J
;
Zhu H
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浏览/下载:73/2
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提交时间:2010/03/08
HEMT
2DEG
Effect of silver growth temperature on the contacts between Ag and ZnO thin films
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 9, 页码: 2779-2784
作者:
Li XK
收藏
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浏览/下载:90/1
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提交时间:2010/03/08
ZnO
Schottky barrier
interface
MSM structure
The synthesis of MDMO-PPV capped PbS nanorods and their application in solar cells
期刊论文
current applied physics, 2009, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 1175-1179
作者:
Tan FR
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/03/08
Polymers
Nanorods
Solar cells
Electric-tunable magneto resistance effect in a two-dimensional electron gas modulated by hybrid magnetic-electric barrier nanostructure
期刊论文
physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 22, 页码: 1983-1987
作者:
Zhang XW
;
Wang Y
;
Yin ZG
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浏览/下载:125/57
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提交时间:2010/03/08
Magnetic-electric barrier
Ballistic transport
Magnetoresistance
Effect of CO on characteristics of AlGaN/GaN Schottky diode
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3025-3027
Feng, C
;
Wang, XL
;
Yang, CB
;
Xiao, HL
;
Zhang, ML
;
Jiang, LJ
;
Tang, J
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, ZG
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浏览/下载:76/1
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提交时间:2010/03/08
HEMTS
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