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半导体研究所 [12]
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期刊论文 [10]
会议论文 [2]
发表日期
2014 [1]
2006 [2]
2005 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
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学科主题
半导体材料 [12]
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学科主题:半导体材料
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Enhanced efficiency of graphene-silicon Schottky junction solar cells by doping with Au nanoparticles
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 18, 页码: 183901
Liu, X
;
Zhang, X. W.
;
Yin, Z. G.
;
Meng, J. H.
;
Gao, H. L.
;
Zhang, L. Q.
;
Zhao, Y. J.
;
Wang, H. L.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/03/20
Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Han XX (Han Xiuxun)
;
Li JM (Li Jiemin)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Cong GW (Cong Guangwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
;
Hu TD (Hu Tiandou)
;
Wang HH (Wang Huanhua)
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/04/11
in doping
cracks
Si(111) substrate
LT-AlGaN interlayer
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
PHASE EPITAXY
INDIUM-SURFACTANT
OPTICAL-PROPERTIES
SI(111)
STRESS
FILMS
Synthesis and temperature-dependent near-band-edge emission of chain-like Mg-doped ZnO nanoparticles
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 10, 页码: art.no.101902
Peng WQ
;
Qu SC
;
Cong GW
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:625/5
  |  
提交时间:2010/04/11
OPTICAL-PROPERTIES
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
GROWTH
ALLOY
FILMS
Synthesis and optical properties of europium-doped ZnS: Long-lasting phosphorescence from aligned nanowires
期刊论文
advanced functional materials, 2005, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 1883-1890
Cheng BC
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:105/18
  |  
提交时间:2010/03/17
ONE-DIMENSIONAL NANOSTRUCTURES
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:292/4
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:94/4
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提交时间:2010/08/12
crystal morphology
doping
surface structure
metalorgamc chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
FILMS
CATHODOLUMINESCENCE
Indium doping effect on GaN in the initial growth stage
期刊论文
journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:155/29
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提交时间:2010/08/12
GaN
indium doping
initial growth stage
morphology
optical transmission
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
DEPOSITION
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 221, 期号: 0, 页码: 356-361
Lu DC
;
Wang CX
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Wang XH
收藏
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浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
annealing treatment
In-doping
MOVPE
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE
会议论文
10th international conference on metalorganic vapor phase epitaxy (icmovpe-x), sapporo, japan, jun 05-09, 2000
Lu DC
;
Wang CX
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Wang XH
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/15
GaN
annealing treatment
In-doping
MOVPE
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
cubic GaN
Mg doping
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
III-V NITRIDE
P-TYPE GAN
OPTICAL-PROPERTIES
COMPENSATION
DIODES
FILMS
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