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半导体研究所 [59]
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期刊论文 [45]
会议论文 [14]
发表日期
2011 [1]
2009 [4]
2008 [3]
2007 [2]
2006 [5]
2005 [5]
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学科主题
半导体材料 [59]
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共59条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
The structure, morphology and Raman scattering study on Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films
期刊论文
materials science and engineering b-advanced functional solid-state materials, 2009, 卷号: 162, 期号: 3, 页码: 209-212
Sun LL
;
Yan FW
;
Zhang HX
;
Wang JX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
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浏览/下载:92/1
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提交时间:2010/03/08
Ion implantation
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)
Diluted magnetic semiconductor (DMS)
Nonpolar a-plane GaN
High efficiency passively Q-switched mode-locking Nd:GdVO4 laser with LT-In0.25Ga0.75As saturable absorber
期刊论文
optical materials, 2009, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 1215-1217
Pan SD
;
Zhao LN
;
Yuan Y
;
Zhu SN
;
He JL
;
Wang YG
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浏览/下载:104/2
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提交时间:2010/03/08
Semiconductor saturable absorber
Q-switch
Mode lock
Nd:GdVO4
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
532 nm continuous wave mode-locked Nd:GdVO4 laser with SESAM
期刊论文
laser physics letters, 2009, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 113-116
Li L
;
Liu J
;
Liu M
;
Liu S
;
Chen E
;
Wang W
;
Wang Y
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浏览/下载:320/68
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提交时间:2010/03/08
all-solid-state laser
passively mode-locked
green laser
continuous wave mode-locking
SESAM
Nd:GdVO4 crystal
Study of GaN growth on ultra-thin Si membranes
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 986-989
Wang X
;
Wu AM
;
Chen J
;
Wang X
;
Wu YX
;
Zhu JJ
;
Yang H
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浏览/下载:59/2
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提交时间:2010/03/08
GaN
High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
Wang, XL
;
Chen, TS
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Luo, WJ
;
Tang, J
;
Guo, LC
;
Li, JM
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浏览/下载:78/1
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMTs
SiC
power
Improvement of the performance of GaN-based LEDs grown on sapphire substrates patterned by wet and ICP etching
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 962-967
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
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浏览/下载:58/4
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提交时间:2010/03/08
InGaN/GaN multiple quantum wells
light-emitting diode
wet etching
inductively coupled plasma etching
Weak antilocalization and beating pattern in an InGaAs/InAlAs quantum well
期刊论文
solid state communications, 2007, 卷号: 143, 期号: 6-7, 页码: 300-303
Zhou, WZ (Zhou, W. Z.)
;
Lin, T (Lin, T.)
;
Shang, LY (Shang, L. Y.)
;
Yu, G (Yu, G.)
;
Huang, ZM (Huang, Z. M.)
;
Guo, SL (Guo, S. L.)
;
Gui, YS (Gui, Y. S.)
;
Dai, N (Dai, N.)
;
Chu, JH (Chu, J. H.)
;
Cui, LJ (Cui, L. J.)
;
Li, DL (Li, D. L.)
;
Gao, HL (Gao, H. L.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/29
quantum well
Pseudospin in Si delta-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs single quantum well
期刊论文
solid state communications, 2007, 卷号: 142, 期号: 7, 页码: 393-397
Zhou WZ
;
Huang ZM
;
Qiu ZJ
;
Lin T
;
Shang LY
;
Li DL
;
Gao HL
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Guo SL
;
Gui YS
;
Dai N
;
Chu JH
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提交时间:2010/03/29
quantum wells
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