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Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:  Liu XF;  Yan GG;  Zheng L;  Dong L
收藏  |  浏览/下载：39/3  |  提交时间：2011/07/05
Blue-shift photoluminescence from porous InAlAs 期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: art. no. 115006
Jiang YC (Jiang Y. C.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang LJ (Wang L. J.); Yin W (Yin W.); Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/12/28
掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1988-1991
作者:  张瑞
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23
The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543
作者:  Zhang JY;  Jiang DS
收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/08/12
热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 369
张砚华; 范缇文; 陈延杰; 吴巨; 陈诺夫; 王占国
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23
铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光 期刊论文
光电子·激光, 1998, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 301
薛俊明; 周伟; 孙钟林
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23
半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 267
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23
借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温（10K）红外测量 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 587
作者:  王俊;  王俊
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/23
低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性 期刊论文
中国科学. A辑， 数学, 1996, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 1117
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23

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