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半导体研究所 [14]
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2015 [1]
2011 [1]
2010 [1]
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学科主题
半导体材料 [14]
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学科主题:半导体材料
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II-VI族纳米晶及其有机-无机电致发光器件研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
李彦沛
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2015/06/02
量子点
量子点量子阱
有机-无机杂化
电致发光
GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 016108-1-016108-6
作者:
王兵
;
李志聪
;
梁萌
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2011/08/16
MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 34-38,43
作者:
杨少延
;
魏鸿源
;
焦春美
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
刘斌
;
陈涌海
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
基于文献计量分析的LED知识图谱及产业化对策
期刊论文
情报学报, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 443-450
王吉武
;
黄鲁成
;
李剑
;
刘王来
;
卢文光
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性
期刊论文
光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1454-1457
作者:
王保柱
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/11/23
中国材料工程大典—信息功能材料工程
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
王占国
;
陈立泉
;
屠海令
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浏览/下载:178/0
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提交时间:2009/09/19
GaN的声表面波特性研究
期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164
作者:
韩培德
;
黎大兵
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
铟镓氮薄膜的光电特性
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 143-148
作者:
韩培德
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
InGaN光致发光性质与温度的关系
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 569
作者:
樊志军
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/11/23
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