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半导体研究所 [19]
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半导体材料 [19]
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学科主题:半导体材料
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离子束溅射沉积制备六方氮化硼二维原子晶体
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
王浩林
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2016/07/07
六方氮化硼
二维原子晶体
离子束溅射沉积
衬底
大尺寸晶畴
InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 878-882
作者:
王俊
;
王俊
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2011/08/16
非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1779-1782
作者:
赵冀
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
于会永
;
赵有文
;
占荣
;
高永亮
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
作者:
刘喆
;
魏同波
;
段瑞飞
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
半导体的检测与分析
专著
北京:科学出版社, 北京, 2007
许振嘉
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浏览/下载:385/0
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提交时间:2009/09/19
蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1382-1385
作者:
王晓燕
;
肖红领
;
王保柱
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究
期刊论文
人工晶体学报, 2006, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 280-284
刘焕林
;
郝瑞亭
;
杨宇
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/11/23
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
作者:
叶小玲
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浏览/下载:334/0
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提交时间:2009/09/19
中国材料工程大典—信息功能材料工程
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
王占国
;
陈立泉
;
屠海令
收藏
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浏览/下载:176/0
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提交时间:2009/09/19
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