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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究 期刊论文 光子学报, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 405-411 作者:  阮驰;  阮驰 收藏  |  浏览/下载：86/3  |  提交时间：2010/01/12 分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究 期刊论文 物理学报, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 310-314 作者:  Wang J 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究 期刊论文 物理学报, 1998, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 286 卢励吾; 张砚华; Ge Weikun; Sou I K; Wang Y; Wang J; Ma Z H; Chen W S; Wong G K L 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究 期刊论文 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 573 作者:  江德生 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布 期刊论文 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 513 盛殊然; 孔光临; 廖显伯; 夏传钺; 郑怀德 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/23 GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心 期刊论文 半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 574 马红; 杨锡震; 周洁; 卢励吾; 封松林 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23