GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究

	GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究
	阮驰; 阮驰
刊名	光子学报
	2007
卷号	36 期号:3 页码:405-411
ISSN号	1004-4213
通讯作者	阮驰
学科主题	半导体材料
收录类别	EI
公开日期	2010-01-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/7070]
专题	西安光学精密机械研究所_瞬态光学技术国家重点实验室
通讯作者	阮驰; 阮驰
推荐引用方式 GB/T 7714	阮驰,阮驰. GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究[J]. 光子学报,2007,36(3):405-411.
APA	阮驰,&阮驰.(2007).GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究.光子学报,36(3),405-411.
MLA	阮驰,et al."GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究".光子学报 36.3(2007):405-411.