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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2002 [1]
2000 [3]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Enhanced electroluminescence from ZnO-based heterojunction light-emitting diodes by hydrogen plasma treatment
期刊论文
physica status solidi-rapid research letters, 2011, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 74-76
作者:
You JB
;
Zhang XW
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
LED
electroluminescence
hydrogen-plasma treatment
Energy band alignment of SiO2/ZnO interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 4, 页码: art. no. 043709
作者:
Zhang XW
;
Yin ZG
;
Song HP
;
You JB
收藏
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浏览/下载:80/3
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提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
ZNO
ELECTROLUMINESCENCE
OFFSETS
Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:92/4
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提交时间:2010/08/12
crystal morphology
doping
surface structure
metalorgamc chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
FILMS
CATHODOLUMINESCENCE
Influence of precipitates on GaN epilayer quality
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 214-217
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
precipitate
GaN
WDS
TEM
cathodoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
MECHANISM
GROWTH
Influence of precipitates on GaN epilayer quality
会议论文
iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
precipitate
GaN
WDS
TEM
cathodoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
MECHANISM
GROWTH
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Zhao DG
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
MOCVD
GaN
InGaN
cubic
LED
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
PHASE EPITAXY
INGAN FILMS
ELECTROLUMINESCENCE
ZINCBLENDE
WURTZITE
MBE
Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses
会议论文
conference on rare-earth-doped materials and devices iii, san jose, ca, jan 27-28, 1999
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Chen BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Xie DT
;
Wu JG
;
Xu DF
;
Xu GX
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Er-doped silica glass
sol-gel process
photoluminescence
PLANAR WAVE-GUIDES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CRYSTAL SILICON
IMPLANTED SI
LUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
FABRICATION
IMPURITIES
FILMS
IONS
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