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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evolution of the amount of InAs in wetting layers in an InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 2207-2211 作者:  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  ANISOTROPY SPECTROSCOPY  GROWTH  GAAS  SURFACES  ALAS