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半导体研究所 [113]
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期刊论文 [113]
发表日期
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2008 [2]
2007 [4]
2006 [13]
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学科主题
半导体材料 [113]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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High-power InGaAs/GaAs quantum-well laser with enhanced broad spectrum of stimulated emission
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 14, 页码: 141101
Wang, HL
;
Yu, HY
;
Zhou, XL
;
Kan, Q
;
Yuan, LJ
;
Chen, WX
;
Wang, W
;
Ding, Y
;
Pan, JQ
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/03/20
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 463
Li, TF
;
Chen, YH
;
Lei, W
;
Zhou, XL
;
Luo, S
;
Hu, YZ
;
Wang, LJ
;
Yang, T
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/02/06
RAMAN-SCATTERING
SEMICONDUCTING NANOWIRES
OPTOELECTRONIC DEVICES
PHOSPHIDE NANOWIRES
OPTICAL PHONONS
SILICON
CRYSTALS
SPECTRA
Luminous efficacy and color rendering index of high power white LEDs packaged by using red phosphor
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 1, 页码: 014011-1-014011-3
作者:
Lu Pengzhi
;
Yang Hua
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2011/08/16
High-power quantum dot superluminescent diode with integrated optical amplifier section
期刊论文
electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1191-
Wang, ZC
;
Jin, P
;
Lv, XQ
;
Li, XK
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPECTRUM
Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:
Liu XF
;
Yan GG
;
Zheng L
;
Dong L
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2011/07/05
4H-SiC
Raman scattering
LOPC modes
transport properties
SILICON-CARBIDE
LIGHT
GAP
The transition from two-stage to three-stage evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots caused by postgrowth annealing
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.71914
作者:
Jin P
;
Ye XL
;
Zhou XL
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浏览/下载:50/4
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提交时间:2011/07/05
SPECTROSCOPY
Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
收藏
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浏览/下载:75/2
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提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
收藏
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浏览/下载:53/10
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提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
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