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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 463 Li, TF; Chen, YH; Lei, W; Zhou, XL; Luo, S; Hu, YZ; Wang, LJ; Yang, T; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06 RAMAN-SCATTERING  SEMICONDUCTING NANOWIRES  OPTOELECTRONIC DEVICES  PHOSPHIDE NANOWIRES  OPTICAL PHONONS  SILICON  CRYSTALS  SPECTRA   The transition from two-stage to three-stage evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots caused by postgrowth annealing 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.71914 作者:  Jin P;  Ye XL;  Zhou XL 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2011/07/05 SPECTROSCOPY   Raman scattering detection of stacking faults in free-standing cubic-SiC epilayer 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 2834-2837 Liu XF (Liu Xing-Fang); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JM (Li Jin-Min); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Li JY (Li Jia-Ye); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/04/11 SPECTROSCOPY  GROWTH  POLYTYPES  SILICON   A study of the interface of CeO2/Si heterostructure grown by ion beam deposition 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 397-401 Wu ZL; Huang DD; Yang XZ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY PHOTOELECTRON  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SPECTROSCOPY  SURFACES  SI(111)  OXIDES  LAYERS  SI   Mechanism of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 139-143 Yang X; Wu Z; Zhao J; Wang H; Huang D; Qin F 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY