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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体化学    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of crystalline quality on the ultraviolet emission and electrical properties of the ZnO films deposited by magnetron sputtering 期刊论文 applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 11, 页码: 5876-5880 作者:  You JB;  Zhang XW;  Yin ZG;  Fan YM 收藏  |  浏览/下载：239/61  |  提交时间：2010/03/08 Crystal quality  RF magnetron sputtering  Zinc oxide  Semiconducting II-VI materials   Promoting strain relaxation of Si0.72Ge0.28 film on Si (100) substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD 期刊论文 applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 part 2 Zhou ZW; Cai ZM; Li C; Lai HK; Chen SY; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/03/08 Relaxed buffer   The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6 期刊论文 applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195 Wang YS; Li JM; Lin LY; Zhang FF 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 Si  SiC  epitaxial growth  RHEED  Raman spectrum  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HYDROCARBON RADICALS  SILICON  SURFACES  FILMS  LAYER  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Effect of rapid thermal annealing on Ti-AlN interfaces 期刊论文 applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 235-240 Wang YX; Chen X 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 electronic packaging  surface analysis  interface reaction  TITANIUM  ALUMINUM NITRIDE