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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：力学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SiC晶体生长中流场的优化设计 期刊论文 工程热物理学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 308-311 作者:  颜君毅;  陈启生;  姜燕妮;  李炜 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/01 碳化硅晶体  PVT法  场协同  浓度场  流场   Thermoelastic Stresses in SiC Single Crystals Grown by the Physical Vapor Transport Method 期刊论文 Acta Mechanica Sinica, 2006, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 40-45 作者:  Zhang ZB(张自兵);  Lu J;  Chen QS(陈启生);  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：1180/106  |  提交时间：2007/06/15 Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 197-200 作者:  Chen QS(陈启生);  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Wei GD;  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：1291/78  |  提交时间：2007/06/15 growth models  X-ray diffraction  growth from vapor  single crystal growth  silicon carbide   Growth of ZnO Nanotetrapods with Hexagonal Crown 期刊论文 Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 页码: 193113 作者:  He FQ(何发泉);  Zhao YP(赵亚溥) 收藏  |  浏览/下载：1626/265  |  提交时间：2007/06/15 Liquid-Phase-Epitaxy-Grown Inasxsb1-X/Gaas for Room-Temperature 8-12 Mu M Infrared Detectors 期刊论文 Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 68, 期号: 24, 页码: 242108 作者:  Peng CT;  Chen NF(陈诺夫);  Gao FB 收藏  |  浏览/下载：1886/235  |  提交时间：2007/06/15 Numerical Simulation of the Flow Field and Concentration Distribution in the Bulk Growth of Silicon Carbide Crystals 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 519-522 作者:  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Chen QS(陈启生) 收藏  |  浏览/下载：1192/82  |  提交时间：2007/06/15 computer simulation  growth model  mass transfer  growth from vapor  seed crystals  semiconducting silicon compounds   Numerical Simulation of the Flow Field and Concentration Distribution in the Bulk Growth of Silicon Carbide Crystals 会议论文 3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-3), OCT 16-19, 2005, Beijing, PEOPLES R CHINA 作者:  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Chen QS(陈启生) 收藏  |  浏览/下载：1133/44  |  提交时间：2007/12/18 Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization 会议论文 3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-3), OCT 16-19, 2005, Beijing, PEOPLES R CHINA 作者:  Chen QS(陈启生);  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Wei GD;  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：964/23  |  提交时间：2007/12/18 Numerical Simulation of Heat Transfer and Kinetics in the Bulk Growth of Silicon Carbide 会议论文 Sixth World Congress on Computational Mechanics in Conjunction with the Second Asian-Pacific Congress on Computational Mechanics,Sept. 5-10, 2004, Beijing, China 作者:  Zhang ZB(张自兵);  Chen QS(陈启生) 收藏  |  浏览/下载：1474/121  |  提交时间：2007/12/18 Control of Large-size SiC Growth Process Using Modeling tool 会议论文 14th International Conference on Crystal Growth (ICCG-14, ICVGE-12),Aug. 9-13, 2004, Grenoble, France 作者:  Chen QS(陈启生) 收藏  |  浏览/下载：883/19  |  提交时间：2007/12/18