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半导体研究所 [104]
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学科主题
光电子学 [104]
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学科主题:光电子学
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High quantum efficiency N-structure type-II superlattice mid-wavelength infrared detector with resonant cavity enhanced design
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 105, 期号: 2017, 页码: 28-33
作者:
Haoyue Wu
;
Yun Xu
;
Jian Li
;
Yu Jiang
;
Lin Bai
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2018/11/30
Characterization of a Ge1−x−ySiySnx/Ge1−xSnx multiple quantum well structure grown by sputtering epitaxy
期刊论文
Letter, 2017, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: 1608-1611
作者:
JUN ZHENG
;
SUYUAN WANG
;
HUI CONG
;
COLLEEN S. FENRICH
;
ZHI LIU
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/07/09
How to Use Type II InAs/GaSb Superlattice Structure to Reach Detection Wavelength of 2-3 mu m
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2012, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 1322-1326
Huang JL (Huang, Jianliang)
;
Ma WQ (Ma, Wenquan)
;
Wei Y (Wei, Yang)
;
Zhang YH (Zhang, Yanhua)
;
Cui K (Cui, Kai)
;
Cao YL (Cao, Yulian)
;
Guo XL (Guo, Xiaolu)
;
Shao J (Shao, Jun)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/03/26
The investigation on carrier distribution in InGaN/GaN multiple quantum well layers
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93117
作者:
Yang H
;
Zhu JH
;
Wang H
;
Zhang SM
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:49/3
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提交时间:2011/07/05
DIODES
EFFICIENCY
Structure, Stress State and Piezoelectric Property of GaN Nanopyramid Arrays
期刊论文
applied physics express, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: article no.45001
Liu JQ
;
Wang JF
;
Gong XJ
;
Huang J
;
Xu K
;
Zhou TF
;
Zhong HJ
;
Qiu YX
;
Cai DM
;
Ren GQ
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:72/3
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提交时间:2011/07/05
OUTPUT VOLTAGE
NANOWIRES
NANOGENERATORS
GROWTH
Graded index profiles and loss-induced single-mode characteristics in vertical-cavity surface-emitting lasers with petal-shape holey structure
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: article no.24204
作者:
Jiang B
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浏览/下载:65/7
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提交时间:2011/07/06
vertical-cavity surface-emitting lasers
single mode
low divergence angle
graded index profile
OPTICAL INTERCONNECTS
QUANTUM-DOT
WAVE-GUIDE
VCSELS
POWER
FIELD
OPERATION
OXIDATION
DESIGN
FIBERS
Very long wavelength quantum dot infrared photodetector using a modified dots-in-a-well structure with AlGaAs insertion layers
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.103507
作者:
Wei Y
;
Huo YH
;
Zhang YH
;
Huang JL
;
Ma WQ
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浏览/下载:67/4
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提交时间:2011/07/06
MU-M
DETECTOR
TEMPERATURE
GROWTH
Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 2, 页码: 23502
Cui K
;
Ma WQ
;
Zhang YH
;
Huang JL
;
Wei Y
;
Cao YL
;
Jin Z
;
Bian LF
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/02/06
DETECTOR
Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunneling barriers
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.103501
作者:
Cui K
;
Wei Y
;
Huo YH
;
Zhang YH
收藏
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浏览/下载:52/2
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提交时间:2011/07/06
Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.30507
Yu X
;
Gu YX
;
Wang Q
;
Wei X
;
Chen LH
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浏览/下载:65/4
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提交时间:2011/07/06
type-II 'W' quantum well
Burt-Foreman Hamiltonian
finite element methods
LASERS
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