×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [24]
内容类型
期刊论文 [22]
会议论文 [2]
发表日期
2017 [3]
2016 [3]
2015 [2]
2014 [1]
2011 [1]
2010 [5]
更多...
学科主题
光电子学 [24]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共24条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602
作者:
J. YANG
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
X. LI
;
F. LIANG
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2018/11/30
Performance Enhanced by Inserting an InGaN/GaN Shallower-Quantum Well Layer in InGaN Based Green Laser Diodes
期刊论文
IEEE Photonics Journal, 2017, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 2300108
作者:
Jing Yang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Jianjun Zhu
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2018/11/30
Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2018/07/11
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2017/03/10
The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content
期刊论文
physica status solidi (a), 2016, 卷号: 213, 期号: 8, 页码: 2223–2228
X. Li
;
D. G. Zhao*
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. G. He
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
L. Q. Zhang
;
J. P. Liu
;
H. Yang
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2017/03/10
Effectiveness of inserting an InGaN interlayer to improve the performances of InGaN-based blue-violet laser diodes
期刊论文
chinese optics letters, 2016, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 062502
Xiang Li
;
Degang Zhao
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2017/03/10
Utilization of polarization-inverted AlInGaN or relatively thinner AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue–violet laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 011209
Lingcong Le
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
;
Jing Yang
;
Xiaojing Li
;
Xiaoguang He
;
Jianping Liu
;
Shuming Zhang
;
Hui Yang
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2016/03/23
The effect of composite GaN/InGaN last barrier layer on electron leakage current and modal gain of InGaN-based multiple quantum well laser diodes
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2015, 卷号: 212, 期号: 12, 页码: 2936–2943
P. Chen
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
L.C. Le
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. Q. Zhang
;
J.P. Liu
;
S.M. Zhang
;
H. Yang
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2016/03/22
Suppression of electron leakage by inserting a thin undoped InGaN layer prior to electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes
期刊论文
optics express, 2014, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 11392-11398
Le, LC
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Yang, H
;
Chen, P
;
Liu, ZS
;
Yang, J
;
He, XG
;
Li, XJ
;
Liu, JP
;
Zhu, JJ
;
Zhang, SM
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2015/03/25
Localized surface optical phonon mode in the InGaN/GaN multiple-quantum-wells nanopillars: Raman spectrum and imaging
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 113115
Zhu JH
;
Ning JQ
;
Zheng CC
;
Xu SJ
;
Zhang SM
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:71/0
  |  
提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
LASER-DIODES
GAN
NANOWIRES
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace