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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays 期刊论文 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935 Liu, JQ; Huang, J; Gong, XJ; Wang, JF; Xu, K; Qiu, YX; Cai, DM; Zhou, TF; Ren, GQ; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  WELL NANOROD ARRAYS  ULTRAVIOLET-LIGHT  GROWTH  NANOGENERATORS  DISLOCATIONS  BRIGHTNESS  LAYERS   Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410 作者:  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  QUANTUM DOTS  BAND-GAP  GROWTH  SURFACES   Quantum-dot superluminescent diode: A proposal for an ultra-wide output spectrum 期刊论文 optical and quantum electronics, 1999, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 1235-1246 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  SLD  wide spectrum  LOW-THRESHOLD  INAS ISLANDS  LASERS  GAAS  EMISSION  INGAAS  LAYER  OPERATION  GROWTH   Normally incident infrared absorption in vertically aligned InGaAs/GaAs quantum dot superlattice 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 1998, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 477-480 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Pan L; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  superlattice  infrared absorption  SYSTEMS  GROWTH  GAAS  INP  ISLANDS