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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 双极电压比较器LM311电离总剂量与单粒子瞬态协同效应研究 期刊论文 电子学报, 2020, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 1635-1640 作者:  王利斌;  姚帅;  陆妩;  王信;  于新 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/10/09 电离总剂量  单粒子瞬态  协同效应  双极电压比较器   偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响 期刊论文 辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70 作者:  王利斌;  王信;  吴雪;  李小龙;  刘默寒 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/11/03 SiGe BiCMOS  偏置条件  电离总剂量  氧化物陷阱电荷  界面态   TID Response of Bulk Si PMOS FinFETs: Bias, Fin Width, and Orientation Dependence 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1320-1325 作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan)[ 1 ];  An, X (An, Xia)[ 1 ];  Li, GS (Li, Gensong)[ 1 ];  Chen, G (Chen, Gong)[ 1 ];  Li, M (Li, Ming)[ 1 ] 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/09/09 Bulk Si FinFET  fin width  orientation  PMOS  threshold voltage shift  total ionizing dose (TID)   Impact of electrical stress on total ionizing dose effects on graphene nano-disc non-volatile memory devices 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 期号: 11, 页码: 1-5 作者:  Xi, K (Xi, K.)[ 1 ];  Bi, JS (Bi, J. S.)[ 1,2 ];  Xu, YN (Xu, Y. N.)[ 1 ];  Li, YD (Li, Y. D.)[ 3 ];  Zhang, ZG (Zhang, Z. G.)[ 4 ] 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/01/05