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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  张翔 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/11/19 背照式CMOS 图像传感器  总剂量效应  位移损伤效应   稀氮（Ga(In)AsN）材料的位移损伤效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  雷琪琪 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/11/19 稀氮  Ga(In)AsN材料  光致发光  辐射损伤效应  退火   空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  梁晓雯 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2020/11/19 SiC MOSFET  栅氧可靠性  总剂量效应  单粒子效应  潜损伤  安全工作区   0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应 期刊论文 红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 183-188 作者:  蔡毓龙1,2,3;  李豫东1,3;  文林1,3;  冯婕3,1;  郭旗3,1 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/12/04 CMOS图像传感器  单粒子效应  累积辐射效应  质子