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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Point defects in group III nitrides: A comparative first-principles study 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 125 作者:  Gao, Yinlu;  Sun, Dan;  Jiang, Xue;  Zhao, Jijun 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2019/12/02 Aluminum nitride  Binary alloys  Calculations  Density functional theory  Energy gap  Gallium nitride  III-V semiconductors  Nitrides  Point defects  Semiconductor devices  Semiconductor doping  Time varying systems, Defect configurations  Diffusion properties  Donor and acceptor  First-principles study  Migration barriers  Native point defects  Self-compensation effects  Wide-bandgap semiconductor devices, Wide band gap semiconductors   Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242 作者:  Hongliang Zhao;  Lin-An Yang;  Hao Zou;  Xiao-hua Ma;  Yue Hao 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/12/17 HEMTs  Wide band gap semiconductors  Aluminum gallium nitride  Logic gates  Oscillators  Mathematical model  Schottky diodes  AlGaN/GaN  electron domain  high-electron mobility transistor (HEMT)  recessed barrier layer (RBL)  terahertz