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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 辐射对HgCdTe红外器件暗电流特性的影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  王志铭 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/07/15 HgCdTe红外探测器  辐射效应  暗电流  总剂量效应  位移效应   深亚微米CMOS图像传感器像素单元累积辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  马林东 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/07/15 CMOS图像传感器  总剂量效应  位移效应   InGaAs单结太阳电池辐射效应机理研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  慎小宝 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/07/15 In0.53Ga0.47As单结太阳电池  高注量电子  低能质子  位移损伤  退火效应   空间碎片探测卫星成像CCD的在轨辐射效应分析 期刊论文 遥感学报, 2019, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 116-124 作者:  李豫东;  文林;  黄建余;  文延;  张科科 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/04/15 空间碎片探测  电荷耦合器件  辐射效应  在轨数据分析  瞬时效应  热像素   空间碎片探测卫星成像CCD的在轨辐射效应分析简 期刊论文 遥感学报, 2019, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 116-124 作者:  李豫东;  文林;  黄建余;  文延;  张科科 收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2019/02/21 空间碎片探测  电荷耦合器件  辐射效应  在轨数据分析  瞬时效应  热像素   高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制 期刊论文 发光学报, 2019, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 1115-1122 作者:  慎小宝;  李豫东;  玛丽娅·黑尼;  赵晓凡;  莫敏·赛来 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/11/27 InGaAs单结太阳电池  高注量电子  位移损伤  载流子寿命  载流子去除效应   1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响 期刊论文 现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 61-67 作者:  王志铭;  周东;  李豫东;  文林;  马林东 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/11/18 HgCdTe  光伏器件  暗电流  电子辐照  辐射效应  位移损伤