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| 一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者: 高建峰 ; 白国斌; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 一种堆叠式围栅纳米线器件假栅电极制备方法 专利
专利号: CN201610033601.1, 申请日期: 2018-11-27, 公开日期: 2016-06-15
作者: 孟令款; 徐秋霞; 闫江
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| 减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201610266868.5, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-07-20
作者: 史敬元; 彭松昂; 金智; 张大勇
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| 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201610306272.3, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2016-07-20
作者: 彭松昂; 金智; 王少青; 毛达诚; 史敬元
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| 赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法 专利
专利号: CN201510226906.X, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2015-09-09
作者: 卢年端; 李泠; 刘明; 高南; 徐光伟
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| 一种平面型IGBT结构的制备方法 专利
专利号: CN201310085579.1, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-04
作者: 卢烁今; 赵佳; 朱阳军; 陆江; 田晓丽
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| NAND存储串及其制造方法、3D NAND存储器 专利
专利号: CN201410540148.4, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-04-20
作者: 李俊锋; 朱慧珑; 赵恒亮
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310282319.3, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2015-01-14
作者: 刘新宇; 金智; 钟汇才; 朱慧珑; 梁擎擎
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| 一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 专利
专利号: CN201210524692.0, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2014-06-11
作者: 胡爱斌; 朱阳军; 田晓丽; 张文亮
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| 通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法 专利
专利号: CN201410535650.6, 申请日期: 2018-05-22, 公开日期: 2015-01-28
作者: 张大勇; 麻芃; 金智; 史敬元; 王少青
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