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北京大学 [1]
金属研究所 [1]
宁波材料技术与工程研... [1]
上海技术物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2017 [4]
学科主题
Physics, A... [1]
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共4条,第1-4条
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发表日期:2017
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80
85
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Wide-band microwave absorption by in situ tailoring morphology and optimized N-doping in nano-SiC
期刊论文
AMER INST PHYSICS, 2017, 卷号: 111, 期号: 22, 页码: -
作者:
Hua, An
;
Wei, Feng
;
Pan, Desheng
;
Yang, Liang
;
Feng, Yang
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/01/10
Beryllium compensation doped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes
会议论文
作者:
Jin C
;
Wang FF
;
Xu QQ
;
Yu CZ
;
Chen JX
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2018/11/20
New Understanding of Random Telegraph Noise Amplitude in Tunnel FETs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017
Chen, Cheng
;
Huang, Qianqian
;
Zhu, Jiadi
;
Zhao, Yang
;
Guo, Lingyi
;
Huang, Ru
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2017/12/03
Amplitude
annealing process
band-to-band tunneling (BTBT) generation rate
nonuniformity
random dopant fluctuation (RDF)
random telegraph noise (RTN)
source doping concentration
tunnel FET (TFET)
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RANDOM DOPANT FLUCTUATION
LINE-EDGE ROUGHNESS
1/F NOISE
ELECTRICAL NOISE
CMOS DEVICES
VARIABILITY
IMPACT
TFET
Microstructure and mechanical properties of Ti/Al co-doped DLC films: Dependence on sputtering current, source gas, and substrate bias
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 410, 页码: 51-59
作者:
Guo, Ting
;
Kong, Cuicui
;
Li, Xiaowei
;
Guo, Peng
;
Wang, Zhenyu
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/12/25
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