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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of Dopants Profile on Random Dopant Fluctuation and Optimization for Bulk FinFET 期刊论文 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017 作者:  Wan GX(万光星);  Zhu HL(朱慧珑) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/07/09 New Understanding of Random Telegraph Noise Amplitude in Tunnel FETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017 Chen, Cheng; Huang, Qianqian; Zhu, Jiadi; Zhao, Yang; Guo, Lingyi; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/12/03 Amplitude  annealing process  band-to-band tunneling (BTBT) generation rate  nonuniformity  random dopant fluctuation (RDF)  random telegraph noise (RTN)  source doping concentration  tunnel FET (TFET)  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  RANDOM DOPANT FLUCTUATION  LINE-EDGE ROUGHNESS  1/F NOISE  ELECTRICAL NOISE  CMOS DEVICES  VARIABILITY  IMPACT  TFET