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内容类型
期刊论文 [62]
专利 [1]
会议论文 [1]
发表日期
2017 [64]
学科主题
材料科学与物理化学 [3]
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发表日期:2017
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Study of surface exfoliation on 6H-SiC induced by H-2(+) implantation
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2017, 卷号: 508, 页码: 104-111
作者:
Zhang, L.
;
Li, B. S.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2018/05/31
Smart-cut
H-2(+) implantation
Transmission electron microscopy
Exfoliation
Blisters
Study of surface exfoliation on 6H-SiC induced by H-2(+) implantation
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2017, 卷号: 508, 页码: 104-111
作者:
Zhang, L.
;
Li, B. S.
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/11/15
Smart-cut
H-2(+) implantation
Transmission electron microscopy
Exfoliation
Blisters
Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in si crystal
期刊论文
Physica b-condensed matter, 2017, 卷号: 506, 页码: 198-204
作者:
Zhao, Mingshu
;
Dong, Juncai
;
Chen, Dongliang
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/04/23
Silicon doping
Local lattice distortion
Strain relaxation mechanism
Charge localization
Dft
再社会化中罪犯人权保障的探析
期刊论文
法制博览, 2017, 期号: 2017年01期, 页码: 38-39
作者:
沈佳玉
;
王亚妮
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/11/13
罪犯
再社会化
完善措施
Theoretical investigation of structural, mechanical and electronic properties of GaAs1-xNx alloys under ambient and high pressure
期刊论文
Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: 526, 页码: 1-6
作者:
Li J(李健)
;
Han XX(韩修训)
;
Dong C(董琛)
;
Fan, Changzeng
;
Han XX(韩修训)
收藏
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浏览/下载:110/0
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提交时间:2017/12/18
First-principles Calculations
Gaas1-xnx Alloys
High Pressure
Dilute Nitrides
n Concentration
Band Gap
Impacts of growth orientation and N incorporation on the interface-states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes
期刊论文
Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: 527, 页码: 52-56
作者:
Li J(李健)
;
Han XX(韩修训)
;
Gao, Xin
;
Yoshio Ohshita
;
Han XX(韩修训)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/12/18
Gaasn
Schottky Barrier Diodes (Sbds)
Growth Orientation
C-v And G/ω-v Characteristics
Interface States
Backflows by active galactic nuclei jets: global properties and influence on supermassive black hole accretion
期刊论文
MONTHLY NOTICES OF THE ROYAL ASTRONOMICAL SOCIETY, 2017, 卷号: 467, 期号: 4, 页码: 4526-4539
作者:
Cielo, S.
;
Antonuccio-Delogu, V.
;
Silk, J.
;
Romeo, A. D.
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2017/11/22
Atomistic simulation of the mechanical properties of beta-SiC based on the first-principles
期刊论文
Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: 512, 页码: 1-5
作者:
Zhang RH(张仁辉)
;
Leng, Senlin
;
Yang, Yingchang
;
Shi, Wei
;
Lu ZB(鲁志斌)
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2017/05/10
Stress and strain
First-principles
beta-SiC
Mechanical properties
Deformation
Energy
Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in Si crystal
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2017, 卷号: 506, 页码: 198-204
作者:
Dong, JC
;
Chen DL(陈栋梁)
;
Dong JC(董俊才)
;
Zhao, MS
;
Chen, DL
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/08/27
Silicon doping
Local lattice distortion
Strain relaxation mechanism
Charge localization
DFT
Phase stability and incompressibility of tungsten boride (WB) researched by in-situ high pressure x-ray diffraction
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2017, 卷号: 521, 页码: 6-12
作者:
Wang, JH
;
Liu J(刘景)
;
Liu, J
;
Yang, K
;
Guan, SX
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2019/08/27
High-pressure
X-ray diffraction
Tungsten boride
Mechanical properties
Elastic mechanisms
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