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科研机构
半导体研究所 [65]
内容类型
期刊论文 [65]
发表日期
2017 [65]
学科主题
半导体物理 [25]
半导体材料 [22]
光电子学 [18]
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共65条,第1-10条
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发表日期:2017
专题:半导体研究所
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Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation–dissolution–regrowth method
期刊论文
中国物理B, 2017, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 068102
杨冠卿
;
张世著
;
徐波
;
陈涌海
;
王占国
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2017/05/23
量子点
光致荧光
反常温度效应
激活能
Deep-ultraviolet stimulated emission from AlGaN/AlN multiple-quantum-wells on nano-patterned AlN/sapphire templates with reduced threshold power density
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: 723, 期号: 06, 页码: 001-200
作者:
Xiang Chen
;
Yun Zhang
;
Jianchang Yan
;
Yanan Guo
;
Shuo Zhang
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/11/30
Multichannel Narrow; Flat-Top Optical Filters Based on Multiple-Phase-Shifted and Phase Sampled FBG
期刊论文
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 6800205
作者:
Xihua Zou
;
Member,IEEE
;
Ming Li
;
Wei Pan
;
Lianshan Yan
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/11/30
Directly Modulated Semiconductor Lasers
期刊论文
IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 1500219
作者:
Ning Hua Zhu
;
Member,IEEE
;
Zhan Shi
;
Zhi Ke Zhang
;
Yi Ming Zhang
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/11/30
Tuning Edge States in Strained-Layer InAs=GaInSb Quantum Spin Hall Insulators
期刊论文
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2017, 卷号: 119, 期号: 5, 页码: 056803
作者:
Lingjie Du
;
Tingxin Li
;
Wenkai Lou
;
Xingjun Wu
;
Xiaoxue Liu
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/06/01
Spin-polarized charge trapping cell based on a topological insulator quantum dot
期刊论文
RSC Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 30963–30969
作者:
Zhenhua Wu
;
Liangzhong Lin
;
Wen Yang
;
D. Zhang
;
C. Shen
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2018/06/01
Probing the semiconductor to semimetal transition in InAs/GaSb double quantum wells by magneto-infrared spectroscopy
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: 045116
作者:
Y. Jiang
;
S. Thapa
;
G. D. Sanders
;
C. J. Stanton
;
Q. Zhang
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2018/06/01
Anisotropic in-plane spin dynamics in (110)-oriented GaAs/AlGaAs multiple quantum well
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 期号: 15, 页码: 153901
作者:
Xuan Qian
;
Jian Ma
;
HaiQiao Ni
;
ZhiChuan Niu
;
Yang Ji
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/06/01
Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes
期刊论文
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 44850
作者:
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/11/30
Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602
作者:
J. YANG
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
X. LI
;
F. LIANG
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/11/30
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