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内容类型
期刊论文 [9]
学位论文 [1]
发表日期
2016 [10]
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发表日期:2016
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极性ZnO的生长机制和{10-1-4}小面掺N研究
学位论文
2016, 2016
王浩
收藏
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浏览/下载:134/0
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提交时间:2017/06/20
极性ZnO
N掺杂ZnO
生长动力学
{10-1-4}邻位面
台阶流动生长
分子束外延和扫描隧道显微镜联合系统
Polar ZnO
N-doped ZnO
Growth kinetics
{10-1-4} facets
Step flow growth
Molecular beam epitaxy and scanning tunneling microscopy united system
n-VO2/p-GaN based nitride-oxide heterostructure with various thickness of VO2 layer grown by MBE
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 389, 页码: 199-204
作者:
Wang, Minhuan
;
Bian, Jiming
;
Sun, Hongjun
;
Liu, Weifeng
;
Zhang, Yuzhi
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2017/02/24
Vanadium oxide
p-GaN
Molecular beam epitaxy
Phase transition
Sunlight-induced resistance changes and their effects on the semiconductor-metal transition behavior of VO2 film
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 51, 期号: 17, 页码: 8233-8239
作者:
Wang, Minhuan
;
Bian, Jiming
;
Sun, Hongjun
;
Liu, Hongzhu
;
Li, Xiaoxuan
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/02/27
Influence of gaasbi matrix on optical and structural properties of inas quantum dots
期刊论文
Nanoscale research letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1
作者:
Wang,Peng
;
Pan,Wenwu
;
Wu,Xiaoyan
;
Liu,Juanjuan
;
Cao,Chunfang
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/05/09
Inas
Quantum dot
Gaasbi
Mbe
Thermal stability
Effects of patterned substrate on quality of high indium content InGaN grown by molecular beam epitaxy (MBE)
期刊论文
Cailiao Daobao/Materials Review, 2016
作者:
Li, Baoji
;
Wu, Yuanyuan
;
Lu, Shulong(陆书龙)
;
Zhang, Jijun
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2017/03/11
Investigation of room-temperature wafer bonded GaInP/GaAs/InGaAsP triple-junction solar cells
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 389
作者:
Yang, WX(杨文献)
;
Dai, P(代盼)
;
Ji, L(季莲)
;
Tan, M
;
Wu, YY(吴渊渊)
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2017/03/11
Effects of buffer layer and back-surface field on MBE-grown InGaAsP/InGaAs solar cells
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: 2
作者:
Wu, YY
;
Ji, L(季莲)
;
Dai, P(代盼)
;
Tan, M(谭明)
;
Lu, SL(陆书龙)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2017/03/11
Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge (100) by all-solid-source molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 卷号: 35, 期号: 2
作者:
He, W
;
Lu, SL(陆书龙)
;
Yang, H(杨辉)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/11
Characterization of vertical Au/beta-Ga2O3 single-crystal Schottky photodiodes with MBE-grown high-resistivity epitaxial layer
期刊论文
Chin. Phys. B, 2016, 卷号: 25, 期号: 1
作者:
Liu XZ(刘兴钊)
;
Yue C(岳超)
;
Zhang WL(张万里)
;
Xia ZT(夏长泰)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2017/12/25
n-VO2/p-GaN based nitride-oxide heterostructure with various thickness of VO2 layer grown by MBE
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 389, 页码: 199-204
作者:
Wang, Minhuan
;
Bian, Jiming
;
Sun, Hongjun
;
Liu, Weifeng
;
Zhang, Yuzhi
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/09
Vanadium oxide
p-GaN
Molecular beam epitaxy
Phase transition
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