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内容类型
期刊论文 [53]
学位论文 [2]
专利 [1]
发表日期
2016 [56]
学科主题
半导体材料 [5]
光电子学 [3]
半导体器件 [3]
半导体物理 [3]
Physics [1]
Science & ... [1]
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共56条,第1-10条
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发表日期:2016
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III族氮化物材料弱极性晶面量子阱的生长及其光电特性的研究
学位论文
2016, 2016
曾凡明
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/06/20
III族氮化物半导体
弱极性晶面
量子阱结构
SAE外延技术
组分渐变
III-nitrides
semipolar
quantum wells
SAE
indium-graded technique
Vertical cavity surface emmiting laser
专利
专利号: US20160276805A1, 申请日期: 2016-09-22, 公开日期: 2016-09-22
作者:
PADULLAPARTHI, BABU DAYAL
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提交时间:2020/01/18
Highly efficient nondoped organic light emitting diodes based on thermally activated delayed fluorescence emitter with quantum-well structure
期刊论文
Acs applied materials & interfaces, 2016, 卷号: 8, 期号: 32, 页码: 20955-20961
作者:
Meng, Lingqiang
;
Wang, Hui
;
Wei, Xiaofang
;
Liu, Jianjun
;
Chen, Yongzhen
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浏览/下载:92/0
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提交时间:2019/05/09
Nondoped
Quantum-well structure
Txo-phcz
Thermally activated delayed fluorescence
Organic light emitting diodes
Bonding and electronic properties of the Cu2ZnSnS4 /WZ-ZnO interface from first-principles calculations
期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 卷号: 49, 期号: 28
作者:
Cheng, Yu-Wen
;
Tang, Fu-Ling
;
Xue, Hong-Tao
;
Liu, Hong-Xia
;
Gao, Bo
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2020/11/14
Binding energy
Calculations
Charge transfer
Copper compounds
Electronic density of states
Electronic properties
Heterojunctions
II-VI semiconductors
Lattice mismatch
Semiconductor quantum wells
Tin compounds
Zinc oxide
Band offsets
Cu2ZnSnS4
Density of state
First-principles calculation
Interface structures
Interfacial adhesions
Orbital hybridization
ZnO layers
Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells
期刊论文
nanoscale, 2016, 卷号: 8, 期号: 21, 页码: 11012–11018
Yingdong Tian
;
Jianchang Yan
;
Yun Zhang
;
Yonghui Zhang
;
Xiang Chen
;
Yanan Guo
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2016/06/01
Pressure-induced reemergence of superconductivity in topological insulator Sr0.065Bi2Se3
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2016, 卷号: 93, 期号: 14, 页码: 1-5
作者:
Zhou, Yonghui
;
Chen, Xuliang
;
Zhang, Ranran
;
Shao, Jifeng
;
Wang, Xuefei
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/11/10
提高GaN基垂直结构LED发光效率的研究
学位论文
2016, 2014
李晓莹
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/06/20
氮化镓
垂直结构发光二极管
In组分渐变多量子阱
低压激光剥离
侧壁粗化。
GaN
vertical-structured light-emitting diodes
graded-indium content multiple quantum wells
low-pressure laser lift-off
sidewall texturing
Curvature-induced bound states and coherent electron transport on the surface of a truncated cone
期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2016, 卷号: 76, 页码: 28-34
作者:
Du, Long
;
Wang, Yong-Long
;
Liang, Guo-Hua
;
Kang, Guang-Zhen
;
Liu, Xiao-Jun
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2016/09/27
Bound state
Coherent transport
Curvature-induced
Geometric potential
Truncated cone
Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287
作者:
Lin, Tao
;
Sun, Ruijuan
;
Sun, Hang
;
Guo, Enmin
;
Duan, Yupeng
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2016/01/11
VECSEL
MOVPE
InGaAs
Curvature-induced bound states and coherent electron transport on the surface of a truncated cone
期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2016, 卷号: 76, 页码: 28-34
作者:
Du, L
;
Wang, YL
;
Liang, GH
;
Kang, GZ
;
Liu, XJ
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2019/04/08
Bound state
QUANTUM-MECHANICS
Coherent transport
CONSTRAINTS
Curvature-induced
PARTICLE
Geometric potential
Truncated cone
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