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| 半导体器件及其形成方法、封装结构 专利
专利号: CN201110112565.5, 申请日期: 2016-09-14, 公开日期: 2012-11-07
作者: 梁擎擎 ; 闫江; 赵超; 钟汇才
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| SOI MOS晶体管 专利
专利号: CN201210155387.9, 申请日期: 2016-08-31, 公开日期: 2012-09-12
作者: 韩郑生; 李莹; 毕津顺; 罗家俊
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| 混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 王信
收藏 | 浏览/下载：37/0 | 提交时间：2016/09/27 |
| 混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者: 王信
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2016/09/27 |
| 沟道形状对无结型多栅器件性能影响探究 期刊论文
2016, 2016
胡梦月; 梁仁荣; 王敬; 许军; HU Mengyue; LIANG Renrong; WANG Jing; XU Jun
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| MOS晶体管及其制作方法 专利
专利号: CN201010612589.2, 申请日期: 2016-01-27, 公开日期: 2012-07-11
作者: 钟汇才; 罗军; 赵超
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/07/03 |
| 单层MoS_2的电调制荧光光谱特性 期刊论文
光子学报, 2016
王亚丽; 林梓愿; 柴扬; 王胜
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2017/12/03
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| 碳纳米管CMOS电子学-从晶体管到中等规模集成电路 其他
2016-01-01
张志勇
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