MOS晶体管及其制作方法

	MOS晶体管及其制作方法
	钟汇才; 罗军; 赵超
	2016-01-27
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010612589.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极和栅极侧墙；预非晶化栅极侧墙两侧的半导体衬底以定义源区和漏区；对预非晶化后的半导体衬底进行自对准硅化物工艺，从而形成超薄的低阻多晶金属硅化物作为源区和漏区。本发明中的MOS晶体管的制作方法，通过自对准硅化物工艺前对源漏区的衬底进行预非晶化处理，之后进行自对准硅化物工艺，这样可以在源漏区形成超薄的低阻多晶金属硅化物，而不是超薄的高阻外延单晶金属硅化物，因此能够有效降低源/漏寄生电阻，明显改善器件性能。
公开日期	2012-07-11
申请日期	2010-12-29
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16791]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	钟汇才,罗军,赵超. MOS晶体管及其制作方法. CN201010612589.2. 2016-01-27.