×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
兰州化学物理研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2016 [3]
学科主题
材料科学与物理化学 [2]
半导体材料与器件 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:2016
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
(n11)取向GaAsN外延材料的Si掺杂行为及肖特基接触特性研究
学位论文
工程硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
董琛
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2016/11/24
GaAsN
生长取向
外延生长
光电特性
Growth orientation
Epitaxial growth
Optoelectronic characteristics
Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 657, 页码: 325-329
作者:
Dong C(董琛)
;
Han XX(韩修训)
;
Gao, Xin
;
Yoshio Ohshita
;
Masafumi Yamaguchi
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2015/12/30
GaAsN
Schottky diode
Growth orientation
I-V characteristics
C-V characteristics
Electrical properties
Impact of the substrate orientation on the N incorporation in GaAsN: Theoretical and experimental investigations
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 687, 页码: 42-46
作者:
Li J(李健)
;
Han XX(韩修训)
;
Dong C(董琛)
;
Fan ZZ(范长增)
;
Yoshio Ohshita
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2016/10/25
GaAsN
First principle calculation
N incorporation
Growth orientation
Chemical potentials
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace