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| 锑化镓基半导体激光器高效率光束整形（英文） 期刊论文
红外与毫米波学报, 2016, 期号: 6, 页码: 652-655
作者: 吴昊; 彭航宇; 宁永强; 王立军
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| 铝合金电极材料、其制备方法及其应用 专利
专利号: CN106191571A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
作者: 王勤; 刘兆平; 苗鹤; 薛业建; 孙珊珊
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| 薄膜晶体管及制备方法和交互式显示装置 专利
专利号: CN106206681A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
作者: 梁凌燕; 谢玉芳; 曹鸿涛
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| 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法 专利
专利号: CN106207754A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
作者: 马旺; 王成新; 徐现刚
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| 一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法 专利
申请日期: 2016-11-30,
作者: 云峰; 李虞锋; 田振寰
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| 大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 期刊论文
发光学报, 2016, 期号: 11, 页码: 1305-1309
作者: 张进成; 王新强; 黎大兵; 刘斌; 孙钱
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| 一种无荧光粉的白光金字塔阵列氮化镓基半导体发光二极管及其制备方法 专利
申请日期: 2016-11-09,
作者: 云峰; 田振寰; 李虞锋
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| 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 专利
专利号: CN106099643A, 申请日期: 2016-11-09, 公开日期: 2016-11-09
作者: 于春满; 朱海军; 张兴
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| 一种铥钬共掺镓酸锶镧激光晶体、制造方法及其应用 专利
专利号: CN105887200A, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2016-08-24
作者: 张园园; 王旭平; 吕宪顺; 刘冰; 杨玉国
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| 耐辐照室温氮化镓一维位置灵敏带电粒子探测系统的研制 项目
2016-
作者: 夏晓川
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