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期刊论文 [15]
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发表日期
2015 [17]
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共17条,第1-10条
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发表日期:2015
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Modulating Electrical Properties of InAs Nanowires via Molecular Monolayers
期刊论文
ACS NANO, 2015, 卷号: 9, 期号: 7, 页码: 7545-7552
作者:
Cheung, Ho-Yuen
;
Yip, SenPo
;
Han, Ning
;
Dong, Goufa
;
Fang, Ming
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/09/07
InAs nanowires
molecular monolayers
aromatic thiol
threshold voltages
electrical properties
mobility
垂直腔面发射激光器高阶模式及偏振控制
学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:
李秀山
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浏览/下载:94/0
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提交时间:2015/11/30
垂直腔面发射激光器
横向模式
偏振
光场
ZnO与SnO2透明导体/半导体薄膜的研究
学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:
吴绍航
收藏
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浏览/下载:183/0
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提交时间:2015/11/30
透明氧化物
透明电子
宽禁带
薄膜
场效应薄膜晶体管
电子束热蒸发
磁控溅射
The performance of ionospheric correction based on NeQuick 2 model adaptation to Global Ionospheric Maps
期刊论文
ADVANCES IN SPACE RESEARCH, 2015, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1741-1747
作者:
Yu, Xiao
;
Zhen, Weimin
;
Xiong, Bo
;
She, Chengli
;
Ou, Ming
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/12/18
Ionospheric Correction
Global Ionospheric Map
Nequick 2
Data Ingestion
Effect of indium tin oxide as transparent conductive layer on shallow surface relief VCSEL
期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2015, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 930-934
作者:
Li, X.-S.
;
Y.-Q. Ning
;
X. Zhang
;
P. Jia
;
L. Qin
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/08/24
High-temperature operating 894.6nm-VCSELs with extremely low threshold for Cs-based chip scale atomic clocks
期刊论文
Optics Express, 2015, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 14763-14773
作者:
Zhang, J. W.
;
X. Zhang
;
H. B. Zhu
;
J. Zhang
;
Y. Q. Ning
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/07/15
A modified structure with asymmetric and doping barrier interlayers of GaAs-based laser diodes with both small vertical divergence angle and low threshold current
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 80, 页码: 7
作者:
Li, X
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/12/31
GaAs laser diodes
Threshold current
Divergence angle
Observation of high thermionic field emission current density from spun carbon fibers fabricated from multiwall carbon nanotubes
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Zheng, ZX(郑中信)
;
Zhang, XY(张晓渝)
;
Zhang, ZP(张志鹏)
;
Tan, RB(谭仁兵)
;
Zhao, JN(赵静娜)
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2015/12/31
Electrical performance of multilayer MoS2 transistors on high-kappa Al2O3 coated Si substrates
期刊论文
AIP ADVANCES, 2015, 卷号: 5, 期号: 5, 页码: 7
作者:
Li, T(李涛)
;
Wan, BS
;
Du, G(杜刚)
;
Zhang, BS(张宝顺)
;
Zeng, ZM(曾中明)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/12/31
1/f Noise Expressions for Amorphous InGaZnO TFTs Considering Mobility Power-Law Parameter in Above-Threshold Regime
期刊论文
ieee electron device letters, 2015
He, Hongyu
;
Zheng, Xueren
;
Zhang, Shengdong
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/10
Thin-film transistor (TFT)
InGaZnO (IGZO)
low frequency noise
carrier mobility
THIN-FILM TRANSISTORS
LOW-FREQUENCY NOISE
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