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P型MOSFET的制造方法 专利
专利号: US9196706, 申请日期: 2015-11-24, 公开日期: 2014-06-05
作者:  徐秋霞;  叶甜春;  朱慧珑;  周华杰;  许高博
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捕获、跟踪、瞄准系统滤波算法对光斑位置检测精度的影响 期刊论文
激光与光电子学进展, 2015, 期号: 11, 页码: 76-81
作者:  李一芒;  盛磊;  高世杰
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一种气体传感器阵列及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201410105900.2, 申请日期: 2015-11-01, 公开日期: 2015-09-23
作者:  冯亮;  关亚风;  杨卫;  贾明艳
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2015/11/16
一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201310158980.3, 申请日期: 2015-11-01, 公开日期: 2014-11-05
作者:  李灿;  熊锋强;  刘臣;  王楠
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2015/11/16
半导体发光元件 专利
专利号: CN103477513B, 申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2015-09-09
作者:  大野启
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高铝粉煤灰中金属镓电解提取技术基础与应用 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  刘玲
收藏  |  浏览/下载:53/0  |  提交时间:2016/11/09
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110068069.4, 申请日期: 2015-08-05, 公开日期: 2012-09-26
作者:  殷华湘;  陈大鹏
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2016/09/18
带有存储功能的MOS器件及其形成方法 专利
专利号: CN201010579748.3, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2012-07-04
作者:  赵超;  王文武
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表面缺陷调控的 SnO2纳米棒基 超灵敏 NO2传感材料研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  李予祥
收藏  |  浏览/下载:87/0  |  提交时间:2015/06/15
0.18 um部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究 期刊论文
物理学报, 2015
作者:  赵星;  梅博;  毕津顺
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2016/05/26


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