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AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation 期刊论文
Chinese Physics B, 2015
作者:  Ma XH(马晓华);  Zheng YK(郑英奎);  Pang L(庞磊);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2016/10/28
Total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator pMOSFETs 期刊论文
Chinese Physics C, 2015
作者:  Li BH(李彬鸿);  Zheng ZS(郑中山);  Zhao X(赵星)
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2016/06/03
半导体器件及其形成方法、封装结构 专利
专利号: US9024435, 申请日期: 2015-05-05, 公开日期: 2012-08-11
作者:  钟汇才;  梁擎擎;  闫江;  赵超
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2016/09/19
Degradation of Gate Voltage Controlled Multilevel Storage in One Transistor One Resistor Electrochemical Metallization Cell 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015
作者:  Xu XX(许晓欣);  Lv HB(吕杭炳);  Liu HT(刘红涛);  Long SB(龙世兵);  Liu Q(刘琦)
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2016/05/24
Compact model for organic thin-film transistor with Gaussian density of states 期刊论文
JAP, 2015
作者:  Wang L(王龙);  Lu ND(卢年端);  Li L(李泠);  Ji GY(姬灌宇);  Writam Banerjee
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2016/05/24
三维半导体存储器件及其制备方法 专利
专利号: US9000409, 申请日期: 2015-04-07, 公开日期: 2012-06-28
作者:  刘明;  霍宗亮
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2016/10/26
Optimized power simulation of AlGaN/GaN HEMT for continuous wave and pulse applications 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2015
作者:  Pang L(庞磊);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森);  Liu GG(刘果果);  Yuan TT(袁婷婷)
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2016/05/26
Effect of source-gate spacing on direct current and radio frequency characteristic of graphene field effect transistor 期刊论文
Applied Physics Letter, 2015
作者:  Yu GH(于广辉);  Shi JY(史敬元);  Zhang DY(张大勇);  Ma P(麻芃);  Jin Z(金智)
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2016/05/26


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