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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Three-dimensional simulation study of bias effect on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 24 作者:  Zhang, JX (Zhang Jin-Xin);  He, CH (He Chao-Hui);  Guo, HX (Guo Hong-Xia);  Tang, D (Tang Du);  Xiong, C (Xiong Cen) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/02/01 Sige Heterojunction Bipolar Transistor  Different Bias  Single Event Effect  3d Numerical Simulation   3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon- germanium heterojunction bipolar transistors 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2014, 卷号: 35, 期号: 4 作者:  Jinxin, Zhang;  Hongxia, Guo;  Lin, Wen;  Qi, Guo;  Jiangwei, Cui 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/11/11 不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究 期刊论文 物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 24, 页码: 446-453 作者:  张晋新;  贺朝会;  郭红霞;  唐杜;  熊涔 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/09/10 锗硅异质结双极晶体管  不同偏置  单粒子效应  三维数值仿真   SiGe HBT 60Co γ辐照总剂量效应 期刊论文 半导体技术, 2014, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 779-783,799 作者:  刘书焕;  李达;  郭晓强;  林东升;  张伟 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 总剂量效应  SiGe HBT  损伤系数  &gamma  辐射  电流增益