| SiGe HBT 60Co γ辐照总剂量效应 | |
| 刘书焕; 李达; 郭晓强; 林东升; 张伟; 刘新赞 | |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 2014 | |
| 期号 | [db:dc_citation_issue]页码:779-783,799 |
| 关键词 | 总剂量效应 SiGe HBT 损伤系数 &gamma 辐射 电流增益 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| DOI | [db:dc_identifier_doi] |
| URL标识 | 查看原文 |
| WOS记录号 | [db:dc_identifier_wosid] |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3281711 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘书焕,李达,郭晓强,等. SiGe HBT 60Co γ辐照总剂量效应[J]. 半导体技术,2014([db:dc_citation_issue]):779-783,799. |
| APA | 刘书焕,李达,郭晓强,林东升,张伟,&刘新赞.(2014).SiGe HBT 60Co γ辐照总剂量效应.半导体技术([db:dc_citation_issue]),779-783,799. |
| MLA | 刘书焕,et al."SiGe HBT 60Co γ辐照总剂量效应".半导体技术 .[db:dc_citation_issue](2014):779-783,799. |
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