QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2014    内容类型：期刊论文    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文 中国物理B（英文版）, 2014, 期号: 2, 页码: 426-430 作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Dun SB(敦少博);  Yin JY(尹甲运) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 肖特基二极管  AlGaN  相对介电常数  阻挡层  基金属  应变  异质  AIN   Influence of temperature on strain-induced polarization Coulomb field scattering in AIN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 中国物理B（英文版）, 2014, 期号: 7, 页码: 645-648 作者:  Lu Yuan-Jie;  Feng Zhi-Hong;  Lin Zhao-Jun;  Guo Hong-Yu;  Gu Guo-Dong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 异质结场效应晶体管  温度变化率  散射机制  AlN  GaN  库仑场  应变诱导  极化   Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Chinese Physics B, 2014, 卷号: 23, 期号: 4 作者:  Yu, Ying-Xia;  Lin, Zhao-Jun;  Luan, Chong-Biao;  , Yuan-Jie;  Feng, Zhi-Hong 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/17 Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 中国物理B, 2014, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 521-524 作者:  Yu YX(于英霞);  Lin ZJ(林兆军);  Luan CB(栾崇彪);  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/17 In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors  channel electric field distribution  polarization Coulomb field scattering  two-dimensional electron gas mobility   Comparison for the carrier mobility between the Ⅲ-Ⅴ nitrides and AlGaAs/GaAs heterostructure field-effect transistors 期刊论文 半导体学报（英文版）, 2014, 期号: 9, 页码: 65-70 作者:  Luan Chongbiao;  Lin Zhaojun;  Lü Yuanjie;  Feng Zhihong;  Zhao Jingtao 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 Ⅲ-Ⅴ nitride and AlGaAs/GaAs HFETs  polarization Coulomb field scattering  2DEG electron mobility   The influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 半导体学报（英文版）, 2014, 卷号: 35, 期号: 12 作者:  Yu, Yingxia;  Lin, Zhaojun;  , Yuanjie;  Feng, Zhihong;  Luan, Chongbiao 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/17 AlN/GaN heterostructure field-effect transistors  channel electric field distribution  polarization Coulomb field scattering  electron mobility   The Porous Wafer of Pt Nanoparticle/TiO_2 Nanobelt Heterostructures with Enhanced Photocatalytic Activity Assisted with Catalytic Reaction of Pt 期刊论文 Science of advanced materials, 2014, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 538-544 作者:  Weijia Zhou;  Dongzhou Wang;  Hong Liu;  Jiyang Wang 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/17 TiO_2 Nanobelt  Heterostructure  Porous Wafer  Photocatalysis  Dark Catalytic Activity   Theoretical model of the polarization Coulomb field scattering in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2014, 期号: 4, 页码: 044507-1-044507-7 作者:  Chongbiao Luan;  Zhaojun Lin;  Yuanjie Lv;  Jingtao Zhao;  Yutang Wang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 The influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2014, 期号: 12, 页码: 52-56 作者:  Yu YX(于英霞);  Lin ZJ(林兆军);  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Luan CB(栾崇彪) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 AlN/GaN heterostructure field-effect transistors  channel electric field distribution  polarization Coulomb field scattering  electron mobility   Effect of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2014, 期号: 12, 页码: 32-35 作者:  Zhao JT(赵景涛);  Lin ZJ(林兆军);  Luan CB(栾崇彪);  Yang M(杨铭);  Zhou Y(周阳) 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/17 side-ohmic contact  AlN/GaN  heterostructure field effect transistor