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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of Normally Off AlGaN/GaN MOSFET Using a Self-Terminating Gate Recess Etching Technique 期刊论文 ieee electron device letters, 2013 Xu, Zhe; Wang, Jinyan; Liu, Yang; Cai, Jinbao; Liu, Jingqian; Wang, Maojun; Yu, Min; Xie, Bing; Wu, Wengang; Ma, Xiaohua; Zhang, Jincheng 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/10 AlGaN/GaN MOSFET  gate recess  normally off  self-terminating  ENHANCEMENT-MODE  HEMTS  OXIDATION  GAN   一种应用于电力电子开关的常关型AlGaN/GaN混合型MOSFET器件 其他 2013-01-01 林书勋; 王茂俊; 王野; 张川; 文正; 王金延; 郝一龙 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/12 AlGaN/GaN异质结 常关型 低损伤刻蚀 击穿电压