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科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2011 [12]
学科主题
半导体材料 [3]
光电子学 [1]
半导体物理 [1]
微电子学 [1]
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发表日期:2011
专题:半导体研究所
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Intrinsic evolutions of optical functions, band gap, and higher-energy electronic transitions in vo2 film near the metal-insulator transition region
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 24, 页码: 3
作者:
Li, W. W.
;
Yu, Q.
;
Liang, J. R.
;
Jiang, K.
;
Hu, Z. G.
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Stability of the positively charged manganese centre in gaas heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the gamma critical point
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 8
作者:
Wang Li-Guo
;
Shen Chao
;
Zheng Hou-Zhi
;
Zhu Hui
;
Zhao Jian-Hua
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Charged acceptor centre
Screening effect
Exchange interaction
Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of inas nanowires on si substrates
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 7
作者:
Li, Tianfeng
;
Chen, Yonghai
;
Lei, Wen
;
Zhou, Xiaolong
;
Luo, Shuai
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Characteristics of undoped and sb-doped zno thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition
期刊论文
Physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
作者:
Zhu, B. L.
;
Zhu, S. J.
;
Zhao, X. Z.
;
Su, F. H.
;
Li, G. H.
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Conductivity
Doping
Photoluminescence
Pulsed laser deposition
Zno
Determination of the transport properties in 4h-sic wafers by raman scattering measurement
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Sun Guo-Sheng
;
Liu Xing-Fang
;
Wu Hai-Lei
;
Yan Guo-Guo
;
Dong Lin
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
4h-sic
Raman scattering
Lopc modes
Transport properties
A new method to measure the carrier concentration of p-gan
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 8
作者:
Zhou Mei
;
Zhao De-Gang
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
P-gan
Carrier concentration measurement
Ultraviolet photodetector
Microscopic study on the carrier distribution in optoelectronic device structures: Experiment and modeling
期刊论文
proceedings of spie- the international society for optical engineering, 2011, 卷号: 8308, 页码: 83081y
Huang, Wenchao
;
Xia, Hui
;
Wang, Shaowei
;
Deng, Honghai
;
Wei, Peng
;
Li, Lu
;
Liu, Fengqi
;
Li, Zhifeng
;
Li, Tianxin
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/06/14
Capacitance
Carrier concentration
Characterization
Diffusion
Optoelectronic devices
Photodetectors
Scanning
Semiconductor device structures
Semiconductor devices
Semiconductor quantum wells
Thermionic emission
Characteristics of undoped and Sb-doped ZnO thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
Zhu BL
;
Zhu SJ
;
Zhao XZ
;
Su FH
;
Li GH
;
Wu XG
;
Wu J
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浏览/下载:96/5
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提交时间:2011/07/05
conductivity
doping
photoluminescence
pulsed laser deposition
ZnO
ZINC-OXIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
OXYGEN-PRESSURE
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
VIOLET
GROWTH
FABRICATION
DEPENDENCE
Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:
Liu XF
;
Yan GG
;
Zheng L
;
Dong L
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浏览/下载:39/3
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提交时间:2011/07/05
4H-SiC
Raman scattering
LOPC modes
transport properties
SILICON-CARBIDE
LIGHT
GAP
Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 9, 页码: 94001
Zhang, Yanbo
;
Du, Yandong
;
Xiong, Ying
;
Yang, Xiang
;
Han, Weihua
;
Yang, Fuhua,
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/06/14
Carrier concentration
Electric fields
Fins(heat exchange)
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