QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201 作者:  Cao YL;  Yang T 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2011/07/05 WELL LASERS  DEPENDENCE  DIODE  GAIN   The Research Progress of Quantum Dot Lasers and Photodetectors in China 期刊论文 journal of nanoscience and nanotechnology, 2011, 卷号: 11, 期号: 11 s1, 页码: 9345-9356 Xu PF (Xu Peng-Fei); Ji HM (Ji Hai-Ming); Yang T (Yang Tao); Xu B (Xu Bo); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/22 Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：63/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：83/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE   Improvement of electroluminescent performance of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diodes by optimizing the AlN barrier layer 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93708 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：47/3  |  提交时间：2011/07/05 UV ELECTROLUMINESCENCE  THIN-FILMS  ZNO   Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: article no.64320 作者:  Yang T 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 PHOTOLUMINESCENCE  EMISSION  INALAS   Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.73703 作者:  Zhang Y;  Li YB 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 ACOUSTIC-PHONON-SCATTERING  LOW-POWER APPLICATIONS  TRANSPORT-PROPERTIES  INTERFACE ROUGHNESS  INAS/ALSB HEMTS  HETEROSTRUCTURES  INAS  TRANSISTORS  GAS  LAYERS   L10 FePt nanoparticles with distinct perpendicular magnetic anisotropy prepared on Au buffer layers by a micellar method 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 11, 页码: 113907 Gao, Y.; Zhang, X.W.; Yin, Z.G.; Si, F.T.; Bai, Y.M.; Zhang, X.L.; Qu, S.; Wang, Z.G. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/06/14 Buffer layers  Crystal orientation  Magnetic anisotropy  Nanomagnetics  Nanoparticles  Optical waveguides   Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301 作者:  Liu XF;  Yan GG;  Zheng L;  Dong L 收藏  |  浏览/下载：38/3  |  提交时间：2011/07/05 4H-SiC  Raman scattering  LOPC modes  transport properties  SILICON-CARBIDE  LIGHT  GAP   An intermediate-band-assisted avalanche multiplication in InAs/InGaAs quantum dots-in-well infrared photodetector 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.73504 Lin L; Zhen HL; Zhou XH; Li N; Lu W; Liu FQ 收藏  |  浏览/下载：40/5  |  提交时间：2011/07/05 DETECTORS  RESPONSIVITY