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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：66/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   Thermal diffusion of nitrogen into ZnO film deposited on InN/sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 11, 页码: 113509 Shi K (Shi K.); Zhang PF (Zhang P. F.); Wei HY (Wei H. Y.); Jiao CM (Jiao C. M.); Jin P (Jin P.); Liu XL (Liu X. L.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/02/22 The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：58/3  |  提交时间：2011/07/05 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials  VAPOR-PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  ZNO NANORODS  RAMAN-SCATTERING  M-PLANE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  NANOWIRES  FIELDS   The effects of substrate temperature on the properties of diphasic nanocrystalline silicon thin films 期刊论文 optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2011, 卷号: 5, 期号: 40545, 页码: 112-115 Hao HY; Xing J; Li WM; Zeng XB; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：81/3  |  提交时间：2011/07/06 Nanocrystalline silicon thin films  Structure  Photoelectrical properties  Stability  MICROCRYSTALLINE SILICON  TRANSITION FILMS  SOLAR-CELLS  HYDROGEN   GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer 期刊论文 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI(001) SUBSTRATE  STRAIN  EPITAXY   Improved performance of GaAs-based micro-solar cell with novel polyimide/SiO2/TiAu/SiO2 structure 期刊论文 science china-technological sciences, 2011, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 830-834 作者:  Zhang H;  Zhang XW;  Wang Y;  Huang TM 收藏  |  浏览/下载：54/8  |  提交时间：2011/07/05 micro-solar cell  SI-GaAs  leakage current  insulating layer  PERIMETER RECOMBINATION   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 会议论文 16th international conference on crystal growth (iccg16)/14th international conference on vapor growth and epitaxy (icvge14), beijing, peoples r china, aug 08-13, 2010 Pan X (Pan Xu); Wei M (Wei Meng); Yang CB (Yang Cuibai); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang CM (Wang Cuimei); Wang XL (Wang Xiaoliang) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/07/26 Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：81/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS