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内容类型
期刊论文 [12]
会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2010 [14]
学科主题
半导体材料 [1]
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Optimization of vi/ii pressure ratio in znte growth on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Cui, Lijie
;
Li, Yanbo
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  |  
浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Znte
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Cui, Lijie
;
Li, Yanbo
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2021/02/02
ZnTe
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制
期刊论文
2010, 2010
王喜娜
;
梅增霞
;
王勇
;
杜小龙
;
张晓娜
;
贾金锋
;
薛其坤
;
张泽
;
WANG Xi-na
;
MEI Zeng-xia
;
WANG Yong
;
DU Xiao-long
;
ZHANG Xiao-na
;
JIA Jin-feng
;
XUE Qi-kun
;
ZHANG Ze
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  |  
浏览/下载:4/0
Tri-buffer process: A new approach to obtain high-quality ZnO epitaxial films on sapphire substrates
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 48th Electronic Materials Conference (EMC), University Pk, PA, Web of Science
Mei, Z. X.
;
Du, X. L.
;
Wang, Y.
;
Ying, M. J.
;
Zeng, Z. Q.
;
Yuan, H. T.
;
Jia, J. F.
;
Xue, Q. K.
;
Zhang, Z.
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
Growth of Cu films on Si(111)-7 x 7 surfaces at low temperature: A scanning tunnelling microscopy study
期刊论文
2010, 2010
Shen Quan-Tong
;
Sun Guo-Feng
;
Li Wen-Juan
;
Dong Guo-Cai
;
Han Tie-Zhu
;
Ma Da-Yan
;
Sun Yu-Jie
;
Jia Jin-Feng
;
Xue Qi-Kun
收藏
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浏览/下载:2/0
Substrate temperature dependence of znte epilayers grown on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Li, Yanbo
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting ii-vi materials
Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Li, Yanbo
收藏
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2021/02/02
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Cui LJ (Cui Lijie)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
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浏览/下载:158/17
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提交时间:2010/07/05
ZnTe
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
VAPOR-PHASE EPITAXY
N-TYPE ZNTE
MBE GROWTH
100 GAAS
ZNSE
LAYERS
SURFACE
TEMPERATURE
SUBSTRATE
EPILAYERS
Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
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浏览/下载:148/33
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提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
SiC晶圆等离子体清洗技术的研究
学位论文
: 大连理工大学, 2010
作者:
王晓霞
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/18
4H-SiC
等离子体
清洗
RHEED
XPS
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