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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High Characteristic Temperature 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: art. no. 027801 Ji HM (Ji Hai-Ming); Yang T (Yang Tao); Cao YL (Cao Yu-Lian); Xu PF (Xu Peng-Fei); Gu YX (Gu Yong-Xian); Ma; WQ (Ma Wen-Quan); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：150/30  |  提交时间：2010/04/13 THRESHOLD CURRENT  ROOM-TEMPERATURE  DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE   Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Kong DH (Kong D. H.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INAS QUANTUM DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  SURFACES  ISLANDS  GROWTH  FABRICATION  MIGRATION  ARRAYS   Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504 Li YB (Li Yanbo); Zhang Y (Zhang Yang); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏  |  浏览/下载：212/46  |  提交时间：2010/10/11 INAS/ALSB QUANTUM-WELLS  LOW-POWER APPLICATIONS  HEMTS  MODULATION  HETEROSTRUCTURES  TECHNOLOGY  CHANNEL  VOLTAGE  MASS   Structure and properties of InAs/AlAs quantum dots for broadband emission 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 10, 页码: art. no. 103515 Meng XQ (Meng X. Q.); Jin P (Jin P.); Liang ZM (Liang Z. M.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang ZG (Wang Z. G.); Zhang ZY (Zhang Z. Y.) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/12/28 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION