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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2009 [8]
学科主题
半导体物理 [4]
半导体材料 [2]
光电子学 [1]
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发表日期:2009
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Optimal teleportation via thermal entangled states of a two-qubit heisenberg chain
期刊论文
Epl, 2009, 卷号: 86, 期号: 5, 页码: 6
作者:
Zhou, Yue
;
Zhang, Guo-Feng
;
Li, Shu-Shen
;
Abliz, Ahmad
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:
Wang Y
;
Pan JQ
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浏览/下载:113/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
WAVE-GUIDE CIRCUIT
DOUBLE HETEROSTRUCTURES
SILICON SUBSTRATE
CW OPERATION
WAFER
DEVICES
FILMS
Optimal teleportation via thermal entangled states of a two-qubit Heisenberg chain
期刊论文
epl, 2009, 卷号: 86, 期号: 5, 页码: art. no. 50004
Zhou Y
;
Zhang GF
;
Li SS
;
Abliz A
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浏览/下载:46/2
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提交时间:2010/03/08
PROBABILISTIC TELEPORTATION
QUANTUM TELEPORTATION
MAGNETIC-FIELD
ANISOTROPY
Narrowing of band gap and low-temperature spin glass behavior of FeNi co-doped ZnO nanowires
期刊论文
epl, 2009, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: art. no. 57004
Iqbal J
;
Liu XF
;
Majid A
;
Yu DP
;
Yu RH
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浏览/下载:92/34
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提交时间:2010/03/08
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
FERROMAGNETISM
FILMS
SPINTRONICS
PRINCIPLES
Mn-AlInN: a new diluted magnetic semiconductor
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2009, 卷号: 96, 期号: 4, 页码: 979-984
Majid A
;
Sharif R
;
Zhu JJ
;
Ali A
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浏览/下载:67/4
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提交时间:2010/03/08
FILMS
GROWTH
GAN
CR
Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101
作者:
Xu YQ
;
Tang B
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浏览/下载:221/40
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提交时间:2010/03/08
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
HETEROSTRUCTURES
TEMPERATURE
DETECTORS
GAAS(100)
FILMS
INAS
INSB
The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
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浏览/下载:91/41
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRON-TRANSPORT
BAND-GAP
FILMS
SAPPHIRE
Room Temperature Ferromagnetism of Mn Implanted AlInN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 040202
Majid A
;
Sharif R
;
Ali A
;
Zhu JJ
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浏览/下载:249/25
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提交时间:2010/03/08
MAGNETIC-PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
GAN
CR
ALLOYS
GROWTH
FILMS
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