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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study 期刊论文 nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：164/21  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON-CARBIDE NANOTUBES  FORMATION ENERGIES  CARBON NANOTUBES  BORON-NITRIDE  NANOWIRES  COMPOSITES  DEFECTS  FUSION   Anisotropic transport in quantum waveguides due to the spin-orbit interactions 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052108 Wang M; Chang K; Chan KS 收藏  |  浏览/下载：179/51  |  提交时间：2010/03/08 crystal orientation  electric admittance  electron waveguides  quantum interference phenomena  spin-orbit interactions   Enhanced infrared emission from colloidal HgTe nanocrystal quantum dots on silicon-on-insulator photonic crystals 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 5, 页码: art. no. 053107 作者:  Tan PH;  Liu J 收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2010/03/08 colloidal crystals  II-VI semiconductors  infrared spectra  mercury compounds  nanostructured materials  photoluminescence  photonic crystals  semiconductor quantum dots  silicon-on-insulator   Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901 作者:  Yang H;  Wang H;  Wang H;  Wang YT;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：64/1  |  提交时间：2010/03/08 edge dislocations  gallium compounds  III-V semiconductors  impurities  photoluminescence  semiconductor doping  semiconductor thin films  silicon  wide band gap semiconductors  X-ray diffraction