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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2009 [6]
学科主题
半导体物理 [6]
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共6条,第1-6条
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发表日期:2009
学科主题:半导体物理
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Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Yang H
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浏览/下载:191/56
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052101
作者:
Wei HY
;
Jiao CM
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:235/41
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
conduction bands
energy gap
high electron mobility transistors
III-V semiconductors
magnesium compounds
passivation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001
作者:
Hao GD
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浏览/下载:129/28
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提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
QUANTUM-WELLS
LASER-DIODES
ORIENTATION
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
ANISOTROPY
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
FILMS
Spin dynamics of electrons in the first excited subband of a high-mobility low-density two-dimensional electron system
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 19, 页码: art.no.193301
Luo HH (Luo Haihui)
;
Qian X (Qian Xuan)
;
Ruan XZ (Ruan Xuezhong)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Umansky V (Umansky Vladimir)
收藏
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浏览/下载:262/47
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
Effect of Ka-band microwave on the spin dynamics of electrons in a GaAs/Al0.35Ga0.65As heterostructure
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 19, 页码: art. no. 192107
作者:
Qian X
收藏
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浏览/下载:80/7
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier lifetime
gallium arsenide
high-frequency effects
III-V semiconductors
optical Kerr effect
semiconductor heterojunctions
spin dynamics
two-dimensional electron gas
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