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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   Growth of nonpolar a-plane GaN on nano-patterned r-plane sapphire substrates 期刊论文 applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668 Gao HY; Yan FW; Zhang Y; Li JM; Zeng YP; Wang JX 收藏  |  浏览/下载：164/24  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Nonpolar  MOCVD  Nano-patterned   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 21-25 作者:  Liu Xingfang 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/11/23 Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文 5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY