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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   Design and characteristics of quantum cascade laser-based CO detection system 期刊论文 sensors and actuators b-chemical, 2009, 卷号: 142, 期号: 1, 页码: 33-38 Li L; Cao; F; Wang YD; Cong ML; Li L; An YP; Song ZY; Guo SX; Liu FQ; Wang LJ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/05 CO  QC laser  Optical detection systems  Absorption spectroscopy  Chemical sensors  ABSORPTION-SPECTROSCOPY  GAS-DETECTION  NITRIC-OXIDE  MU-M  SENSOR  OXYGEN   Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712 作者:  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/04 aluminium compounds  effective mass  gallium arsenide  III-V semiconductors  SCF calculations  semiconductor quantum wires  spectral line shift  EXCHANGE INTERACTION  ENERGY  STATES  ABSORPTION  NANOWIRES  ELECTRONS  SUBBANDS  WELLS  FIELD   Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720 Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：68/25  |  提交时间：2010/03/08 GAAS PHOTOCATHODES  GALLIUM-ARSENIDE  ALXGA1-XAS  DIFFUSION  SURFACE  ENERGY   Influence of implantation energy on the characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films 期刊论文 materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 3-4, 页码: 451-453 Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：255/68  |  提交时间：2010/03/08 Diluted magnetic semiconductors (DMSs)  Implantation energy  Nonpolar a-plane GaN:Mn films  Room temperature   The structural, morphological and magnetic characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 1, 页码: 91-93 Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：219/46  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE  THIN-FILMS  (GA  MN)N   Growth of nonpolar a-plane GaN on nano-patterned r-plane sapphire substrates 期刊论文 applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668 Gao HY; Yan FW; Zhang Y; Li JM; Zeng YP; Wang JX 收藏  |  浏览/下载：165/24  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Nonpolar  MOCVD  Nano-patterned   The field emission properties of nonpolar a-plane n-type GaN films grown on nano-patterned sapphire substrates 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503 Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：55/1  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-AFFINITY   Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：173/14  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  ZINC-OXIDE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SAPPHIRE  SURFACE  GROWTH   Boron-doped silicon film as a recombination layer in the tunnel junction of a tandem solar cell 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 25-28 作者:  Liu Shiyong;  Peng Wenbo 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23