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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：66/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Influence of AlN buffer layer thickness on the properties of GaN epilayer on Si(111) by MOCVD 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713 Luo WJ; Wang XL; Guo LC; Mao HL; Wang CM; Ran JX; Li JP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：191/53  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Si(111)  Crack  AlN  MOCVD   Growth of c-oriented ZnO films on (001) SMO3 substrates by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 311, 期号: 1, 页码: 200-204 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：255/27  |  提交时间：2010/03/08 Growth behavior  SrTiO3  MOCVD  ZnO   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 503-506 Yu, LK; Xu, B; Wang, ZG; Jin, P; Zhao, C; Lei, W; Sun, J; Hu, LJ 收藏  |  浏览/下载：24/1  |  提交时间：2010/03/08 growth interruption  in segregation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum dots   Mechanical and tribological properties of epitaxial cubic boron nitride thin films grown on diamond 期刊论文 advanced engineering materials, 2008, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 482-487 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：72/10  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2008, 卷号: 354, 期号: 19-25, 页码: 2282-2285 Kazanskii, AG; Kong, GL; Zeng, XB; Hao, HY; Liu, FZ 收藏  |  浏览/下载：104/29  |  提交时间：2010/03/08 silicon  conductivity  chemical vapor deposition  microcrystallinity  absorption  photoconductivity   Experimental investigation of slow light phenomenon in photonic crystal waveguide line defect laser 会议论文 international workshop on metamaterials, nanjing, peoples r china, nov 09-12, 2008 Xing MX; Ren G; Chen W; Zhou WJ; Wang HL; Chen LH; Zheng WH 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/09 MODE